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2114-3CE

产品描述Standard SRAM, 1KX4, 300ns, MOS, CDIP18,
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文件大小416KB,共4页
制造商California Micro Devices
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2114-3CE概述

Standard SRAM, 1KX4, 300ns, MOS, CDIP18,

2114-3CE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称California Micro Devices
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间300 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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