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IDT7130LA35LB

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
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文件大小426KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7130LA35LB概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48

IDT7130LA35LB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明LCC-48
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码S-CQCC-N48
JESD-609代码e0
长度14.3002 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最小待机电流2 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.016 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14.3002 mm

IDT7130LA35LB相似产品对比

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描述 Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC LCC LCC LCC
包装说明 LCC-48 LCC-48 QCCN, LCC-48
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code compli compliant compliant compli
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 25 ns 100 ns 35 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48 S-CQCC-N48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm
内存密度 8192 bi 8192 bit 8192 bit 8192 bi
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 48 48 48 48
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 1KX8 1KX8 1KX8 1KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN QCCN QCCN
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm 3.048 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm 1.016 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm 14.3002 mm
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