IDT7130SA25LB概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, LCC-48

IDT7130SA25LB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	LCC-48
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码	S-CQCC-N48
JESD-609代码	e0
长度	14.3002 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	48
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.016 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14.3002 mm
Base Number Matches	1

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IDT7130SA25LB相似产品对比

	IDT7130SA25LB	IDT7140SA100L	IDT7130LA35L	IDT7130LA35LB
描述	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, LCC-48	Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48, LCC-48	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	LCC
包装说明	LCC-48	QCCN,	LCC-48	LCC-48
针数	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	100 ns	35 ns	35 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG	INTERRUPT FLAG	INTERRUPT FLAG	INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码	S-CQCC-N48	S-CQCC-N48	S-CQCC-N48	S-CQCC-N48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	14.3002 mm	14.3002 mm	14.3002 mm	14.3002 mm
内存密度	8192 bit	8192 bit	8192 bi	8192 bi
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	48	48	48	48
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C
组织	1KX8	1KX8	1KX8	1KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm	1.016 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	14.3002 mm	14.3002 mm	14.3002 mm	14.3002 mm

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