IDT71024S20D概述

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32

IDT71024S20D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	41.91 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.334 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

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IDT71024S20D相似产品对比

	IDT71024S20D	IDT71024S15D	IDT71024S15L8	IDT71024S17D	IDT71024S17L8
描述	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDSO32, 0.400 X 0.820 INCH, LCC-32	Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 17ns, CMOS, CDSO32, 0.400 X 0.820 INCH, LCC-32
零件包装代码	DIP	DIP	DLCC	DIP	DLCC
包装说明	DIP,	DIP,	SON,	DIP,	SON,
针数	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compli	compliant	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns	15 ns	15 ns	17 ns	17 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T32	R-CDIP-T32	R-CDSO-N32	R-CDIP-T32	R-CDSO-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	SON	DIP	SON
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	-
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	-
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
长度	41.91 mm	-	20.828 mm	-	20.828 mm
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-	225	-
座面最大高度	5.334 mm	-	2.54 mm	-	2.54 mm
端子节距	2.54 mm	-	1.27 mm	-	1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	-	20	-
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	-	10.16 mm

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