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W3HG2128M64EEU665XD4IMG

产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
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文件大小188KB,共13页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
标准
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W3HG2128M64EEU665XD4IMG概述

DDR DRAM Module, 256MX64, 0.45ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

W3HG2128M64EEU665XD4IMG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codeunknow
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度17179869184 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

 
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