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30WQ06FNTRRPBF

产品描述3.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小128KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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30WQ06FNTRRPBF概述

3.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA

30WQ06FNTRRPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252AA
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.76 V
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流490 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流3.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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VS-30WQ06FNPbF
Vishay Semiconductors
Schottky Rectifier, 3.5 A
Base
cathode
4, 2
FEATURES
• Popular D-PAK outline
• Small foot print, surface mountable
• Low forward voltage drop
D-PAK (TO-252AA)
1
Anode
3
Anode
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
PRODUCT SUMMARY
Package
I
F(AV)
V
R
V
F
at I
F
I
RM
T
J
max.
Diode variation
E
AS
D-PAK (TO-252AA)
3.5 A
60 V
See Electrical table
30 mA at 125 °C
150 °C
Single die
6 mJ
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
DESCRIPTION
The VS-30WQ06FNPbF surface mount Schottky rectifier
has been designed for applications requiring low forward
drop and small foot prints on PC board. Typical applications
are in disk drives, switching power supplies, converters,
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery
protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
3 Apk, T
J
= 125 °C
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
3.5
60
490
0.53
- 40 to 150
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-30WQ06FNPbF
60
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average forward current
See fig. 5
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy
Repetitive avalanche current
SYMBOL
I
F(AV)
TEST CONDITIONS
50 % duty cycle at T
C
= 133 °C, rectangular waveform
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 A, L = 12 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated load
condition and with rated
V
RRM
applied
VALUES
3.5
490
70
6.0
1.0
mJ
A
A
UNITS
Document Number: 94199
Revision: 14-Jan-11
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1

30WQ06FNTRRPBF相似产品对比

30WQ06FNTRRPBF 30WQ06FNPBF_11
描述 3.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA 3.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE 整流二极管
最大非重复峰值正向电流 490 A 490 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最大重复峰值反向电压 60 V 60 V
表面贴装 YES Yes
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE 单一的

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