IRFY430-JQR-B,IRFY430-JQR-B pdf中文资料,IRFY430-JQR-B引脚图,IRFY430-JQR-B电路-Datasheet-电子工程世界

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IRFY430-JQR-B: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小829KB，共3页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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IRFY430-JQR-B概述

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

IRFY430-JQR-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (ID)	3.7 A
最大漏源导通电阻	1.84 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFY430-JQR-B相似产品对比

	IRFY430-JQR-B	IRFY430-QR-EB	IRFY430R1	IRFY430	IRFY430M
描述	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	500 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	3.7 A	3.7 A	3.7 A	3.7 A	3.7 A
最大漏源导通电阻	1.84 Ω	1.84 Ω	1.84 Ω	1.84 Ω	1.84 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T3	R-MSFM-T3	R-MSFM-T3	R-MSFM-T3	R-MSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A	14 A	14 A	14 A	14 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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