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20CTQ150STRLPBF

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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20CTQ150STRLPBF概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

20CTQ150STRLPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SFM
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.66 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1030 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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VS-20CTQ150SPbF, VS-20CTQ150-1PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 10 A
VS-20CTQ150SPbF
VS-20CTQ150-1PbF
FEATURES
175 °C T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High frequency operation
High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
Guard ring for enhanced ruggedness and long
term reliability
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
AEC-Q101 qualified
Base
common
cathode
2
Base
common
cathode
2
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
D
2
PAK
TO-262
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 175 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 10 A
150 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
10 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
20
150
1030
0.66
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-20CTQ150SPbF
VS-20CTQ150-1PbF
150
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per leg
I
F(AV)
per device
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 A, L = 2 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 154 °C, rectangular waveform
20
A
1030
180
1.0
1
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
10
UNITS
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
Document Number: 94490
Revision: 23-Mar-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1

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20CTQ150STRLPBF 20CTQ150SPBF_10 20CTQ150-1PBF 20CTQ150-1TRRPBF
描述 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
应用 HIGH POWER 高 POWER HIGH POWER 高 POWER
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE 整流二极管 RECTIFIER DIODE 整流二极管
最大非重复峰值正向电流 1030 A 1030 A 1030 A 1030 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 2 3 3 3
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V 150 V 150 V
端子形式 GULL WING THROUGH-孔 THROUGH-HOLE THROUGH-孔
端子位置 SINGLE 单一的 SINGLE 单一的
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