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20CTQ150SPBF_10

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小130KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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20CTQ150SPBF_10概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

10 A, 150 V, 硅, 整流二极管, TO-262AA

20CTQ150SPBF_10规格参数

参数名称属性值
端子数量3
元件数量2
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 塑料, TO-220, TO-262, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸IN-线
端子形式THROUGH-孔
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
壳体连接CATHODE
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用高 POWER
相数1
最大重复峰值反向电压150 V
最大平均正向电流10 A
最大非重复峰值正向电流1030 A

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VS-20CTQ150SPbF, VS-20CTQ150-1PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 10 A
VS-20CTQ150SPbF
VS-20CTQ150-1PbF
FEATURES
175 °C T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High frequency operation
High purity, high temperature epoxy
encapsulation for enhanced mechanical
strength and moisture resistance
Guard ring for enhanced ruggedness and long
term reliability
Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of
260 °C
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
AEC-Q101 qualified
Base
common
cathode
2
Base
common
cathode
2
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
D
2
PAK
TO-262
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 175 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 10 A
150 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 μs sine
10 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
20
150
1030
0.66
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-20CTQ150SPbF
VS-20CTQ150-1PbF
150
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per leg
I
F(AV)
per device
5 μs sine or 3 μs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 A, L = 2 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 154 °C, rectangular waveform
20
A
1030
180
1.0
1
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
10
UNITS
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
Document Number: 94490
Revision: 23-Mar-10
For technical questions, contact:
diodestech@vishay.com
www.vishay.com
1

20CTQ150SPBF_10相似产品对比

20CTQ150SPBF_10 20CTQ150-1PBF 20CTQ150-1TRRPBF 20CTQ150STRLPBF
描述 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
端子数量 3 3 3 2
元件数量 2 2 2 2
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE THROUGH-孔 GULL WING
端子位置 单一的 SINGLE 单一的 SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 整流二极管 RECTIFIER DIODE 整流二极管 RECTIFIER DIODE
应用 高 POWER HIGH POWER 高 POWER HIGH POWER
相数 1 1 1 1
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V 150 V 150 V
最大非重复峰值正向电流 1030 A 1030 A 1030 A 1030 A
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