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M74HC133C1: 产品描述HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小108KB，共4页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M74HC133C1概述

HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20

M74HC133C1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFN
包装说明	PLASTIC, CC-20
针数	20
Reach Compliance Code	_compli
系列	HC/UH
JESD-30 代码	S-PQCC-J20
JESD-609代码	e0
长度	8.9662 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
最大I（ol）	0.004 A
功能数量	1
输入次数	13
端子数量	20
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC20,.4SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Su	38 ns
传播延迟（tpd）	38 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.9662 mm

M74HC133C1相似产品对比

	M74HC133C1	M74HC133B1N	M74HC133F1	M74HC133M1	M54HC133F1
描述	HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20	HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDIP16, PLASTIC, DIP-16	HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16	HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16	HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFN	DIP	DIP	SOIC	DIP
包装说明	PLASTIC, CC-20	PLASTIC, DIP-16	FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16	MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16	FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16
针数	20	16	16	16	16
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
系列	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH
JESD-30 代码	S-PQCC-J20	R-PDIP-T16	R-GDIP-T16	R-PDSO-G16	R-GDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
最大I（ol）	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
功能数量	1	1	1	1	1
输入次数	13	13	13	13	13
端子数量	20	16	16	16	16
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	SOP	DIP
封装等效代码	LDCC20,.4SQ	DIP16,.3	DIP16,.3	SOP16,.25	DIP16,.3
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V
传播延迟（tpd）	38 ns	38 ns	38 ns	38 ns	45 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	4.57 mm	5.1 mm	5 mm	1.75 mm	5 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	6 V	6 V	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8.9662 mm	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	7.62 mm
Prop。Delay @ Nom-Sup	-	38 ns	45 ns	38 ns	-

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