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M74HC133M1

产品描述HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小108KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M74HC133M1概述

HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16

M74HC133M1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
系列HC/UH
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e0
长度9.9 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量1
输入次数13
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup38 ns
传播延迟(tpd)38 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm

M74HC133M1相似产品对比

M74HC133M1 M74HC133B1N M74HC133F1 M54HC133F1 M74HC133C1
描述 HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16 HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC DIP DIP DIP QFN
包装说明 MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16 PLASTIC, DIP-16 FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 PLASTIC, CC-20
针数 16 16 16 16 20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli _compli
系列 HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 S-PQCC-J20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
功能数量 1 1 1 1 1
输入次数 13 13 13 13 13
端子数量 16 16 16 16 20
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP DIP DIP QCCJ
封装等效代码 SOP16,.25 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 LDCC20,.4SQ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 38 ns 38 ns 38 ns 45 ns 38 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
座面最大高度 1.75 mm 5.1 mm 5 mm 5 mm 4.57 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 6 V 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 8.9662 mm
Prop。Delay @ Nom-Sup 38 ns 38 ns 45 ns - -

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