HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
系列 | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 9.9 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A |
功能数量 | 1 |
输入次数 | 13 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP16,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/6 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 38 ns |
传播延迟(tpd) | 38 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.9 mm |
M74HC133M1 | M74HC133B1N | M74HC133F1 | M54HC133F1 | M74HC133C1 | |
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描述 | HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDSO16, MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16 | HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, CDIP16, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | HC/UH SERIES, 13-INPUT NAND GATE, PQCC20, PLASTIC, CC-20 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | SOIC | DIP | DIP | DIP | QFN |
包装说明 | MICRO, PLASTIC, GULLWING, DIP-16 | PLASTIC, DIP-16 | FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-16 | PLASTIC, CC-20 |
针数 | 16 | 16 | 16 | 16 | 20 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | _compli | _compli |
系列 | HC/UH | HC/UH | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-PDIP-T16 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 | S-PQCC-J20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
输入次数 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 | 20 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 125 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -55 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | DIP | DIP | DIP | QCCJ |
封装等效代码 | SOP16,.25 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | LDCC20,.4SQ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V |
传播延迟(tpd) | 38 ns | 38 ns | 38 ns | 45 ns | 38 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | NO | NO | NO | NO |
座面最大高度 | 1.75 mm | 5.1 mm | 5 mm | 5 mm | 4.57 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.9662 mm |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 38 ns | 38 ns | 45 ns | - | - |
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