Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MD18R326GAG0-CN1

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MD18R326GAG0-CN1: 产品描述Rambus DRAM Module, 256MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232; 产品类别存储存储; 文件大小254KB，共16页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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MD18R326GAG0-CN1概述

Rambus DRAM Module, 256MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232

MD18R326GAG0-CN1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM232,40
针数	232
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	32 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N232
内存密度	9663676416 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	232
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM232,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	32768
自我刷新	YES
最大待机电流	1.976 A
最大压摆率	4.27 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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MD18R3268(G)AG0

Change History

Version 0.1 (Sept. 2003)-

Preliminary

* First copy.

* Based on version 1.0 (July 2002) 256/288Mbit D-die 32 Bit RIMM



Module Datasheet

Version 1.0 (Feb. 2004)

* Eliminate “Preliminary”

Version 1.0 Feb. 2004

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描述	Rambus DRAM Module, 256MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX36, 40ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 256MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 128MX36, 32ns, CMOS, RIMM-232	Rambus DRAM Module, 256MX36, 40ns, CMOS, RIMM-232
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40	DIMM, DIMM232,40
针数	232	232	232	232	232	232
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	32 ns	40 ns	32 ns	32 ns	32 ns	40 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	600 MHz	400 MHz	533 MHz	533 MHz	600 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232	R-XDMA-N232
内存密度	9663676416 bi	4831838208 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	9663676416 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	232	232	232	232	232	232
字数	268435456 words	134217728 words	268435456 words	134217728 words	134217728 words	268435456 words
字数代码	256000000	128000000	256000000	128000000	128000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256MX36	128MX36	256MX36	128MX36	128MX36	256MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40	DIMM232,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	32768	32768	32768	32768	32768	32768
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	1.976 A	1.464 A	1.856 A	1.824 A	1.944 A	1.496 A
最大压摆率	4.27 mA	2.27 mA	4.1 mA	2.82 mA	2.95 mA	3.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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