DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM184 |
针数 | 184 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
内存密度 | 4294967296 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 184 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM184 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.048 A |
最大压摆率 | 3.84 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
M368L6523MTL-LA2 | M368L6523MTL-CA2 | M368L6523MTL-CA0 | M368L6523MTL-LB0 | M368L6523MTL-LA0 | M368L6523MTL-CB0 | |
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描述 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, DIMM-184 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 | DIMM, DIMM184 |
针数 | 184 | 184 | 184 | 184 | 184 | 184 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compliant | compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns | 0.75 ns | 0.8 ns | 0.75 ns | 0.8 ns | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 133 MHz | 100 MHz | 133 MHz | 100 MHz | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 |
内存密度 | 4294967296 bi | 4294967296 bit | 4294967296 bit | 4294967296 bit | 4294967296 bit | 4294967296 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 184 | 184 | 184 | 184 | 184 | 184 |
字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM184 | DIMM184 | DIMM184 | DIMM184 | DIMM184 | DIMM184 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | 225 | 225 | 225 | 225 |
电源 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
最大待机电流 | 0.048 A | 0.048 A | 0.04 A | 0.048 A | 0.04 A | 0.048 A |
最大压摆率 | 3.84 mA | 3.84 mA | 3.36 mA | 3.84 mA | 3.36 mA | 3.84 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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