2680-2F概述

Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22

2680-2F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	350 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bi
内存宽度	1
端子数量	22
字数	4096 words
字数代码	4000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	64
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

	2680-2F	2680-1F
描述	Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22	Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP22,.4	DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code	unknow	unknow
最长访问时间	350 ns	270 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T22	R-XDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	4096 bi	4096 bi
内存宽度	1	1
端子数量	22	22
字数	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.4	DIP22,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	64	64
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ