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2680-1F

产品描述Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22
产品类别存储    存储   
文件大小270KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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2680-1F概述

Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22

2680-1F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间270 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度4096 bi
内存宽度1
端子数量22
字数4096 words
字数代码4000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期64
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

2680-1F相似产品对比

2680-1F 2680-2F
描述 Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22 Memory IC, 4KX1, MOS, CDIP22
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code unknow unknow
最长访问时间 270 ns 350 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDIP-T22 R-XDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 4096 bi 4096 bi
内存宽度 1 1
端子数量 22 22
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.4 DIP22,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 64 64
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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