MMBZ15VAWT1G,MMBZ15VAWT1G pdf中文资料,MMBZ15VAWT1G引脚图,MMBZ15VAWT1G电路-Datasheet-电子工程世界

MMBZ15VAWT1G: 产品描述DIODE 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN, Transient Suppressor; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小147KB，共5页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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MMBZ15VAWT1G概述

DIODE 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN, Transient Suppressor

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	SC-70
包装说明	R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	CASE 419-04
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	15.75 V
最小击穿电压	14.25 V
击穿电压标称值	15 V
最大钳位电压	21 V
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散	40 W
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.2 W
最大重复峰值反向电压	12 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

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