PSMN004-36P,PSMN004-36P pdf中文资料,PSMN004-36P引脚图,PSMN004-36P电路-Datasheet-电子工程世界

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PSMN004-36P: 产品描述TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小294KB，共13页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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PSMN004-36P概述

TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

PSMN004-36P规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	36 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	75 A
最大漏极电流 (ID)	75 A
最大漏源导通电阻	0.0054 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PSMN004-36P相似产品对比

	PSMN004-36P	PSMN004-36B,118	934056874118	934056875127
描述	TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power	MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK	TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power	TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ	120 mJ	120 mJ	120 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	36 V	36 V	36 V	36 V
最大漏极电流 (ID)	75 A	75 A	75 A	75 A
最大漏源导通电阻	0.0054 Ω	0.0054 Ω	0.0054 Ω	0.0054 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	240 A	240 A	240 A	240 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)
零件包装代码	TO-220AB	D2PAK	-	TO-220AB
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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