Memory Circuit, Flash+PSRAM, 16MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, SCSP-88
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Numonyx ( Micron ) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA88,8X12,32 |
| 针数 | 88 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | FLASH IS ALSO ORGANIZED AS 8M X 16, PSRAM IS ORGANIZED AS 2M X 16 OR 4M X 16 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B88 |
| 长度 | 10 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | FLASH+PSRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 88 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 16MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA88,8X12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00011 A |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
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