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UJ3C065030K3S

产品描述MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小485KB,共9页
制造商UnitedSiC
标准
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UJ3C065030K3S在线购买

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UJ3C065030K3S概述

MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3

UJ3C065030K3S规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
UnitedSiC
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
SiC
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Id - Continuous Drain Current85 A
Rds On - Drain-Source Resistance35 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs - Gate-Source Voltage- 25 V to + 25 V
Qg - Gate Charge51 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
441 W
Channel ModeEnhancement
Fall Time17 ns
Rise Time26 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
600
Typical Turn-Off Delay Time63 ns
Typical Turn-On Delay Time44 ns

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