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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> WV3EG64M64ETSU335D4ISG
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WV3EG64M64ETSU335D4ISG

产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小178KB，共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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WV3EG64M64ETSU335D4ISG概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

WV3EG64M64ETSU335D4ISG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度4294967296 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

WV3EG64M64ETSU335D4ISG相似产品对比

WV3EG64M64ETSU335D4ISG WV3EG64M64ETSU335D4IMG WV3EG64M64ETSU403D4ISG WV3EG64M64ETSU403D4IMG
描述 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 200 200 200 200
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns 0.65 ns 0.65 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4
内存密度 4294967296 bi 4294967296 bit 4294967296 bit 4294967296 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200
字数 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.6 V 2.6 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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