WV3EG64M64ETSU403D4IMG,WV3EG64M64ETSU403D4IMG pdf中文资料,WV3EG64M64ETSU403D4IMG引脚图,WV3EG64M64ETSU403D4IMG电路-Datasheet-电子工程世界

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WV3EG64M64ETSU403D4IMG: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200; 产品类别存储存储; 文件大小178KB，共12页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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WV3EG64M64ETSU403D4IMG概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

WV3EG64M64ETSU403D4IMG规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM,
针数	200
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e4
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

WV3EG64M64ETSU403D4IMG相似产品对比

	WV3EG64M64ETSU403D4IMG	WV3EG64M64ETSU335D4IMG	WV3EG64M64ETSU403D4ISG	WV3EG64M64ETSU335D4ISG
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	200	200	200	200
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns	0.7 ns	0.65 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	200	200	200	200
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.3 V	2.5 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.5 V	2.6 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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