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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSR2N2484UB
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JANSR2N2484UB

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANSR2N2484UB概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3

JANSR2N2484UB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid8358960525
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)225
JESD-30 代码R-CDSO-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/376
DEVICES
LEVELS
2N2484UA
2N2484UB
2N2484UBC *
*
Available to JANS quality level only.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ T
A
= +25°C
(1)
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
, T
stg
Value
60
60
6.0
50
360
-65 to +200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
°C
TO-18 (TO-206AA)
2N2484
Operating & Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Thermal Resistance, Ambient-to-Case
2N2484
2N2484UA
2N2484UB, UBC
1. See 19500/376 for Thermal Performance Curves.
2N2484UA
Symbol
R
θJA
Value
325
275
350
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 45Vdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 45Vdc
V
CB
= 60Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 5.0Vdc
V
(BR)CEO
I
CES
60
5.0
5.0
10
2.0
Vdc
ηAdc
ηAdc
μAdc
ηAdc
2N2484UB, UBC
(UBC = Ceramic Lid Version)
Symbol
Min.
Max.
Unit
I
CBO
I
CEO
T4-LDS-0058 Rev. 1 (080853)
Page 1 of 2

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-4 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
Objectid 8358960525 8358960515 8358960523 8358960497 8358960524 8358960498 8358960499
包装说明 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 225 225 225 225 225 225 225
JESD-30 代码 R-CDSO-N3 R-XDSO-N4 R-XDSO-N4 R-XDSO-N4 R-XDSO-N3 R-CDSO-N3 R-XDSO-N3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 4 4 4 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500; RH - 100K Rad(Si) MIL-19500; RH - 50K Rad(Si) MIL-19500; RH - 100K Rad(Si) MIL-PRF-19500; RH - 300K Rad(Si) MIL-PRF-19500; RH - 100K Rad(Si) MIL-19500; RH - 300K Rad(Si) MIL-PRF-19500; RH - 300K Rad(Si)
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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