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JANKCDL2N5152: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小58KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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JANKCDL2N5152概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

JANKCDL2N5152规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Objectid	8358966937
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
认证状态	Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	1500 ns
最大开启时间（吨）	500 ns

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TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/544

Devices

2N5152

2N5152L

2N5154

2N5154L

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Symbol

CEO

CBO

EBO

C(3, 4)

0 (1)

All Units

100

5.5

2.0

1.0

11.8

-65 to +200

Max.

Units

Vdc

Adc

°C

Unit

C/W

TO- 5*

2N5152L, 2N5154L

@ T

= +25 C

@ T

= +25

(2)

Operating & Storage Temperature Range

stg

Symbol

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 5.7 mW/ C for T

> +25 C

2) Derate linearly 66.7 mW/

C for T

> +25

3) Derate linearly 80 mW/

C for T

> +25

4) This value applies for P

≤

8.3 ms, duty cycle

≤

2N5152, 2N5154

TO-39*

(TO-205AD)

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

= 25

C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

(

)

CEO

EBO

Min.

1.0

Max.

Unit

Vdc

µAdc

mAdc

µAdc

mAdc

µAdc

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

= 100 mAdc, I

= 0

Emitter-Base Cutoff Current

= 4.0 Vdc, I

= 0

= 5.5 Vdc, I

= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

= 60 Vdc, V

= 0

= 100 Vdc, V

= 0

Collector-Base Cutoff Current

= 40 Vdc, I

= 0

CES

CEO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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	JANKCDL2N5152	JANKCDD2N5152	JANKCDM2N5152	JANKCDR2N5152
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compli	compliant
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20	20
JEDEC-95代码	TO-39	TO-39	TO-39	TO-39
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	1500 ns	1500 ns	1500 ns	1500 ns
最大开启时间（吨）	500 ns	500 ns	500 ns	500 ns
Objectid	8358966937	8358966935	-	8358966943
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99
认证状态	Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified

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