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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANKCDD2N5152
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JANKCDD2N5152

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANKCDD2N5152概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

JANKCDD2N5152规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid8358966935
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）1500 ns
最大开启时间（吨）500 ns

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TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/544
Devices
2N5152
2N5152L
2N5154
2N5154L
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C(3, 4)
0 (1)
All Units
80
100
5.5
2.0
1.0
11.8
-65 to +200
Max.
15
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
°C
Unit
C/W
TO- 5*
2N5152L, 2N5154L
@ T
A
= +25 C
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Temperature Range
P
T
T
j
,
T
stg
Symbol
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 5.7 mW/ C for T
A
> +25 C
2) Derate linearly 66.7 mW/
0
C for T
C
> +25
0
C
3) Derate linearly 80 mW/
0
C for T
C
> +25
0
C
4) This value applies for P
W
≤
8.3 ms, duty cycle
≤
1%
0
0
R
θ
JC
0
2N5152, 2N5154
TO-39*
(TO-205AD)
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(
BR
)
CEO
I
EBO
Min.
80
1.0
1.0
1.0
1.0
50
Max.
Unit
Vdc
µAdc
mAdc
µAdc
mAdc
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0
V
EB
= 5.5 Vdc, I
C
= 0
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60 Vdc, V
BE
= 0
V
CE
= 100 Vdc, V
BE
= 0
Collector-Base Cutoff Current
V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0
I
CES
I
CEO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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JANKCDD2N5152相似产品对比

JANKCDD2N5152 JANKCDL2N5152 JANKCDM2N5152 JANKCDR2N5152
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compli compliant
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 1500 ns 1500 ns 1500 ns 1500 ns
最大开启时间（吨） 500 ns 500 ns 500 ns 500 ns
Objectid 8358966935 8358966937 - 8358966943
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
认证状态 Not Qualified Qualified - Not Qualified

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