MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT,MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT pdf中文资料,MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT引脚图,MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT电路-Datasheet-电子工程世界

MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT: 产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, FBGA-77; 产品类别存储存储; 文件大小239KB，共13页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT28C64464W18AFW-F705P70KBWT概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA77, 8 X 10 MM, FBGA-77

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 10 MM, FBGA-77
针数	77
Reach Compliance Code	_compli
最长访问时间	70 ns
其他特性	CELLULAR RAM IS ORGANIZED AS 4M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B77
JESD-609代码	e0
长度	10 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	77
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA77,8X10,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000145 A
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

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