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HGT1S3N60B3

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小321KB,共12页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGT1S3N60B3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3

HGT1S3N60B3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)33 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)220 ns
标称接通时间 (ton)16 ns

HGT1S3N60B3相似产品对比

HGT1S3N60B3 HGTP3N60B3 HGT1S3N60B3S9A HGTD3N60B3S9A HGT1S3N60B3S
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA, PLASTIC PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-4 Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC PACKAGE-4 Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-4
厂商名称 Harris Harris Harris Harris Harris
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknow
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A 7 A 7 A 7 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-220AB TO-263AB TO-252AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 2 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES YES YES
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 220 ns 220 ns 220 ns 220 ns 220 ns
标称接通时间 (ton) 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合
门极发射器阈值电压最大值 6 V 6 V - - 6 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V - - 20 V
JESD-609代码 e0 e0 - - e0
最高工作温度 150 °C 150 °C - - 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 33 W 33 W - - 33 W
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb)

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