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BAV20WS-H

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小52KB,共7页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
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BAV20WS-H概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,

BAV20WS-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

BAV20WS-H相似产品对比

BAV20WS-H BAV19WS-H BAV21WS-H
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,
厂商名称 FORMOSA FORMOSA FORMOSA
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W
最大重复峰值反向电压 200 V 120 V 250 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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