Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), 12V, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Msi Electronics Inc |
| 包装说明 | R-PDSO-N2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | 3% MATCHED SET OF THREE DIODES |
| 最小击穿电压 | 12 V |
| 配置 | SEPARATE, 3 ELEMENTS |
| 二极管电容容差 | 5% |
| 最小二极管电容比 | 7 |
| 标称二极管电容 | 10 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带 | HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N2 |
| 元件数量 | 3 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小质量因数 | 200 |
| 最大反向电流 | 0.01 µA |
| 反向测试电压 | 10 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
