24C04A-I/J,24C04A-I/J pdf中文资料,24C04A-I/J引脚图,24C04A-I/J电路-Datasheet-电子工程世界

24C04A-I/J: 产品描述EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, CDIP8, CERDIP-8; 产品类别存储存储; 文件大小972KB，共10页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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24C04A-I/J概述

EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, CDIP8, CERDIP-8

24C04A-I/J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	CERDIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	40
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	512 words
字数代码	512
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512X8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms
写保护	HARDWARE
Base Number Matches	1

24C04A-I/J相似产品对比

	24C04A-I/J	24C01A-I/J	24C04A/J	24C04A-E/J	24C04AE/J	24C01A-E/J	24C02A-E/J	24C02AE/J	24C01A/J
描述	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, CDIP8, CERDIP-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8	512X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8	256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8	128X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	CERDIP-8	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	DIP,	CERDIP-8	0.300 INCH, CERDIP-8	DIP,
针数	8	8	8	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bi	1024 bi	4096 bi	4096 bi	4096 bi	1024 bi	2048 bi	2048 bi	1024 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	512 words	128 words	512 words	512 words	512 words	128 words	256 words	256 words	128 words
字数代码	512	128	512	512	512	128	256	256	128
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
组织	512X8	128X8	512X8	512X8	512X8	128X8	256X8	256X8	128X8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	COMMERCIAL	Not Qualified	COMMERCIAL	Not Qualified	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1
其他特性	100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 40 YEARS	100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	-	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	-	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS	-	-

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