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FR207G

产品描述2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小50KB,共2页
制造商Jinan Jing Heng Electronics
官网地址http://www.jinghenggroup.com/
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FR207G概述

2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

2 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-15

FR207G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用EFFICIENCY
相数1
反向恢复时间最大0.5000 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流2 A
最大非重复峰值正向电流70 A

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R
FR201 G TH R U FR207 G
GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIER
Reverse Voltage: 50 to 1000 Volts
Forward Current:2.0Amperes
S E M I C O N D U C T O R
FEATURES
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
High current surge
High reliability
High temperature soldering guaranteed:260°C/10 seconds at terminals
Component in accordance to RoHS 2011
/
65
/
EU
0.144(3.6)
0.104(2.6)
DIA
DO-15
1.0(25.4)
MIN
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-15 molded plastic body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.014ounce, 0.39 gram
0.034(0.85)
0.024(0.62)
DIA
0.300(7.60)
0.230(5.60)
1.0(25.4)
MIN
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase ,half wave ,60H
Z
,resistive or inductive
load. For capacitive load,derate current by 20%.)
Symbols
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
at 2.0 A
Maximum DC Reverse Current
at rated DC blocking voltage
T
A
=25
°C
T
A
=100°C
FR
201G
50
35
50
FR
202G
100
70
100
FR
203G
200
140
200
FR
204G
400
280
400
2.0
60
FR
205G
600
420
600
FR
206G
800
560
800
FR
207G
1000
700
1000
Units
V
olts
V
olts
V
olts
A
mp
s
A
mps
V
olts
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
1.3
5.0
μ
A
250
500
100
Maximum reverse recovery time(Note1)
Typical junction capacitance(Note2)
Operating junction and storage temperature
range
t
rr
C
J
T
J
T
STG
150
30
-55 to+150
-55 to+150
ns
pF
°C
Note:
1.Test conditions: I
F=
0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1MH
Z
and applied reverse voltage of 4.0 Volts D.C.
JINAN JINGHENG ELECTRONICS CO., LTD.
2
-
1
HTTP
://
WWW.JINGHENGGROUP.COM

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