Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 转换器> IDT75C58S20DB

IDT75C58S20DB: 产品描述ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28; 产品类别模拟混合信号IC 转换器; 文件大小340KB，共10页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT75C58S20DB概述

ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28

IDT75C58S20DB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	3A001.A.2.C
最大模拟输入电压	0.1 V
最小模拟输入电压	-1.9 V
转换器类型	ADC, FLASH METHOD
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.211 mm
最大线性误差 (EL)	0.2%
标称负供电电压	-5.2 V
模拟输入通道数量	1
位数	8
功能数量	1
端子数量	28
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出位码	BINARY
输出格式	PARALLEL, 8 BITS
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5,-5.2 V
认证状态	Not Qualified
采样速率	30 MHz
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.08 mm
标称供电电压	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	15.24 mm

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IDT75C58S20DB相似产品对比

	IDT75C58S20DB	IDT75C58SC20LB	IDT75C58SC30SOB	IDT75C58SC30SO	IDT75C58SB20DB	IDT75C58SB20D	IDT75C58SC30PB
描述	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CQCC28, LCC-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, PDSO28, SOIC-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, PDSO28, SOIC-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	ADC, Flash Method, 8-Bit, 1 Func, 1 Channel, Parallel, 8 Bits Access, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP	QLCC	SOIC	SOIC	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	LCC-28	SOP,	SOIC-28	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-28	DIP,
针数	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	_compli	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C	EAR99	3A001.A.2.C
最大模拟输入电压	0.1 V	0.1 V	0.1 V	0.1 V	0.1 V	0.1 V	0.1 V
最小模拟输入电压	-1.9 V	-1.9 V	-1.9 V	-1.9 V	-1.9 V	-1.9 V	-1.9 V
转换器类型	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD	ADC, FLASH METHOD
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	S-CQCC-N28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	37.211 mm	11.43 mm	18.3642 mm	18.3642 mm	37.211 mm	37.211 mm	36.576 mm
最大线性误差 (EL)	0.2%	0.3906%	0.4%	0.4%	0.3%	0.3%	0.4%
标称负供电电压	-5.2 V	-5.2 V	-5.2 V	-5.2 V	-5.2 V	-5.2 V	-5.2 V
模拟输入通道数量	1	1	1	1	1	1	1
位数	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-	-55 °C
输出位码	BINARY	BINARY	BINARY	BINARY	BINARY	BINARY	BINARY
输出格式	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS	PARALLEL, 8 BITS
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCN	SOP	SOP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
采样速率	30 MHz	30 MHz	40 MHz	40 MHz	30 MHz	30 MHz	40 MHz
座面最大高度	5.08 mm	2.54 mm	3.048 mm	3.048 mm	5.08 mm	5.08 mm	4.699 mm
标称供电电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	11.43 mm	8.763 mm	8.763 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-
封装等效代码	DIP28,.6	LCC28,.45SQ	-	SOP28,.5	DIP28,.6	DIP28,.6	-
峰值回流温度（摄氏度）	225	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	5,-5.2 V	5,-5.2 V	-	5,-5.2 V	5,-5.2 V	5,-5.2 V	-
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1

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