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GVT71256DA36B-6

产品描述Standard SRAM, 256KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
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文件大小317KB,共27页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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GVT71256DA36B-6概述

Standard SRAM, 256KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119

GVT71256DA36B-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, FBGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间4 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度9437184 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.425 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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