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02013K8R2BBSTR

产品描述CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201
产品类别无源元件   
文件大小461KB,共20页
制造商AVX
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02013K8R2BBSTR概述

CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201

电容, 薄膜/FOIL, 二氧化硅和氮化, 25 V, 0.0000004 uF, 表面贴装, 0201

02013K8R2BBSTR规格参数

参数名称属性值
负偏差5 %
最小工作温度-55 Cel
最大工作温度125 Cel
正偏差5 %
额定直流电压urdc25 V
加工封装描述CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态Active
电容类型FILM CAPACITOR
电容4.00E-7 µF
电介质材料SILICON DIOXIDE AND NITRIDE
jesd_609_codee3
制造商系列0201
安装特点SURFACE MOUNT
包装形状RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸SMT
cking_methodTR, 7/13 INCH
seriesSIZE(ACCU-P)
尺寸编码0201
温度系数-/+30ppm/Cel
端子涂层TIN OVER NICKEL
端子形状WRAPAROUND
heigh0.2250 mm
length0.6000 mm
width0.3250 mm
dditional_featureCAPACITANCE TOLERANCE IS 0.02 PICO FARAD
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