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LMV861MGX: 产品描述30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小980KB，共20页; 制造商National Semiconductor（TI ）; 官网地址http://www.ti.com

敬请期待详细参数选型对比

LMV861MGX概述

30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

LMV861MGX规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）
Objectid	1770344687
零件包装代码	SC-70
包装说明	SC-70, 5 PIN
针数	5
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
compound_id	1069557
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0005 µA
标称共模抑制比	93 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电压	1260 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G5
JESD-609代码	e0
长度	2 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	NO
湿度敏感等级	1
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量	1
端子数量	5
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP5/6,.08
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法	TAPE AND REEL
功率	NO
电源	3/5 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
标称压摆率	18 V/us
最大压摆率	3.27 mA
供电电压上限	6 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
标称均一增益带宽	30000 kHz
最小电压增益	70800
宽带	NO
宽度	1.25 mm

LMV861MGX相似产品对比

	LMV861MGX	LMV861	LMV861MG	LMV862	LMV862MM	LMV862MMX
描述	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）	-	National Semiconductor（TI ）	-	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）
零件包装代码	SC-70	-	SC-70	-	SOIC	SOIC
包装说明	SC-70, 5 PIN	-	SC-70, 5 PIN	-	MSOP-8	MSOP-8
针数	5	-	5	-	8	8
Reach Compliance Code	_compli	-	_compli	-	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	-	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	-	OPERATIONAL AMPLIFIER	-	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	-	VOLTAGE-FEEDBACK	-	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.0005 µA	-	0.0005 µA	-	0.0005 µA	0.0005 µA
标称共模抑制比	93 dB	-	93 dB	-	93 dB	93 dB
频率补偿	YES	-	YES	-	YES	YES
最大输入失调电压	1260 µV	-	1260 µV	-	1260 µV	1260 µV
JESD-30 代码	R-PDSO-G5	-	R-PDSO-G5	-	S-PDSO-G8	S-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	-	e0	-	e0	e0
长度	2 mm	-	2 mm	-	3 mm	3 mm
低-偏置	YES	-	YES	-	YES	YES
低-失调	NO	-	NO	-	NO	NO
微功率	NO	-	NO	-	NO	NO
湿度敏感等级	1	-	1	-	1	1
功能数量	1	-	1	-	2	2
端子数量	5	-	5	-	8	8
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	-	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	-	TSSOP	-	TSSOP	TSSOP
封装等效代码	TSSOP5/6,.08	-	TSSOP5/6,.08	-	TSSOP8,.19	TSSOP8,.19
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	SQUARE	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法	TAPE AND REEL	-	TAPE AND REEL	-	RAIL	TAPE AND REEL
功率	NO	-	NO	-	NO	NO
电源	3/5 V	-	3/5 V	-	3/5 V	3/5 V
可编程功率	NO	-	NO	-	NO	NO
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm	-	1.1 mm	-	1.09 mm	1.09 mm
标称压摆率	18 V/us	-	18 V/us	-	18 V/us	18 V/us
最大压摆率	3.27 mA	-	3.27 mA	-	6.35 mA	6.35 mA
供电电压上限	6 V	-	6 V	-	6 V	6 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	-	AUTOMOTIVE	-	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	-	0.65 mm	-	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	-	DUAL	DUAL
标称均一增益带宽	30000 kHz	-	30000 kHz	-	30000 kHz	30000 kHz
最小电压增益	70800	-	70800	-	70800	70800
宽带	NO	-	NO	-	NO	NO
宽度	1.25 mm	-	1.25 mm	-	3 mm	3 mm

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