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MJE13003G-B-T9N-K

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92NL, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小400KB,共9页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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MJE13003G-B-T9N-K概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92NL, 3 PIN

MJE13003G-B-T9N-K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)21
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

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