4KX4 CACHE TAG SRAM, 15ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 15.418 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MK41S80X-12 | MK41S80N-15 | MK41S80X-15 | P-0805K2231QSWP | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4KX4 CACHE TAG SRAM, 15ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 | 4KX4 CACHE TAG SRAM, 20ns, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 | 4KX4 CACHE TAG SRAM, 20ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 2230ohm, 100V, 0.02% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 包装说明 | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 | DIP, | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 | CHIP |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | compliant |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e3 |
| 端子数量 | 24 | 22 | 24 | 2 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 155 °C |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMT |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | THIN FILM |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | - |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - |
| 零件包装代码 | SOJ | DIP | SOJ | - |
| 针数 | 24 | 22 | 24 | - |
| 最长访问时间 | 15 ns | 20 ns | 20 ns | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J24 | R-PDIP-T22 | R-PDSO-J24 | - |
| 长度 | 15.418 mm | 26.289 mm | 15.418 mm | - |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit | - |
| 内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM | CACHE TAG SRAM | CACHE TAG SRAM | - |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 字数 | 4096 words | 4096 words | 4096 words | - |
| 字数代码 | 4000 | 4000 | 4000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 组织 | 4KX4 | 4KX4 | 4KX4 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 可输出 | YES | YES | YES | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | SOJ | DIP | SOJ | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 3.556 mm | 5.334 mm | 3.556 mm | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | - |
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