K7N161845M-HC15T,K7N161845M-HC15T pdf中文资料,K7N161845M-HC15T引脚图,K7N161845M-HC15T电路-Datasheet-电子工程世界

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K7N161845M-HC15T: 产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119; 产品类别存储存储; 文件大小356KB，共20页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7N161845M-HC15T概述

ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119

K7N161845M-HC15T规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	3.8 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	2.38 V
最大压摆率	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40

K7N161845M-HC15T相似产品对比

	K7N161845M-HC15T	K7N163645M-HC15T	K7N161845M-HC13T	K7N161845M-QC13T	K7N161845M-QC16T	K7N163645M-QC15T	K7N163645M-HC13T	K7N161845M-HC16T	K7N163645M-QC16T
描述	ZBT SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119	ZBT SRAM, 1MX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119	ZBT SRAM, 1MX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100	ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100	ZBT SRAM, 512KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100	ZBT SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119	ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	QFP, QFP100,.63X.87	QFP, QFP100,.63X.87	QFP, QFP100,.63X.87	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	3.8 ns	3.8 ns	4.2 ns	4.2 ns	3.5 ns	3.8 ns	4.2 ns	3.5 ns	3.5 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	36	18	18	18	36	36	18	36
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3	3
端子数量	119	119	119	100	100	100	119	119	100
字数	1048576 words	524288 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	524288 words
字数代码	1000000	512000	1000000	1000000	1000000	512000	512000	1000000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	512KX36	1MX18	1MX18	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	512KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	QFP	QFP	QFP	BGA	BGA	QFP
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V	2.38 V
最大压摆率	0.3 mA	0.3 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.32 mA	0.3 mA	0.28 mA	0.32 mA	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.635 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40	40	40	40
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

K7N161845M-HC15T

K7N161845M-HC15T概述

K7N161845M-HC15T规格参数

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