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MSM41464-10JS

产品描述Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18
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文件大小440KB,共14页
制造商OKI
官网地址http://www.oki.com
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MSM41464-10JS概述

Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18

MSM41464-10JS规格参数

参数名称属性值
厂商名称OKI
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PQCC-J18
长度12.45 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度7.24 mm

MSM41464-10JS相似产品对比

MSM41464-10JS MSM41464-10RS MSM41464-12JS MSM41464-15RS MSM41464-15JS MSM41464-12RS
描述 Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, LCC-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, NMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
厂商名称 OKI OKI OKI OKI OKI OKI
零件包装代码 LCC DIP LCC DIP LCC DIP
包装说明 QCCJ, DIP, QCCJ, DIP, QCCJ, DIP,
针数 18 18 18 18 18 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 100 ns 100 ns 120 ns 150 ns 150 ns 120 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PQCC-J18 R-PDIP-T18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T18 R-PQCC-J18 R-PDIP-T18
长度 12.45 mm 22.6 mm 12.45 mm 22.6 mm 12.45 mm 22.6 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bi
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18 18
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ DIP QCCJ DIP QCCJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
座面最大高度 3.55 mm 4.5 mm 3.55 mm 4.5 mm 3.55 mm 4.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO YES NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL
宽度 7.24 mm 7.62 mm 7.24 mm 7.62 mm 7.24 mm 7.62 mm

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