IS62WV25616DBLL-45BI,IS62WV25616DBLL-45BI pdf中文资料,IS62WV25616DBLL-45BI引脚图,IS62WV25616DBLL-45BI电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62WV25616DBLL-45BI

IS62WV25616DBLL-45BI: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小323KB，共17页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS62WV25616DBLL-45BI概述

Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

IS62WV25616DBLL-45BI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000007 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.018 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm

IS62WV25616DBLL-45BI相似产品对比

	IS62WV25616DBLL-45BI	IS62WV25616DALL-55BLI	IS62WV25616DALL-55TI	IS62WV25616DBLL-45TI	IS62WV25616DBLL-55TLI	IS62WV25616DALL-55BI	IS62WV25616DALL-55TL	IS62WV25616DALL-55TLI
描述	Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	TSOP2	TSOP2	TSOP2	DSBGA	TSOP2	TSOP2
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	0.400 INCH, TSOP2-44	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	48	48	44	44	44	48	44	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	45 ns	55 ns	55 ns	45 ns	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	8 mm	8 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	8 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	44	44	44	48	44	44
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TFBGA	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	260
电源	2.5/3.3 V	1.8/2 V	1.8/2 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	1.8/2 V	1.8/2 V	1.8/2 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A	0.000007 A	0.000003 A	0.000007 A
最小待机电流	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V	1.2 V
最大压摆率	0.018 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.018 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	2.2 V	2.2 V	3.6 V	3.6 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	1.65 V	1.65 V	2.3 V	2.3 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	40	40
宽度	6 mm	6 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	10.16 mm	10.16 mm
JESD-609代码	-	e1	e0	-	e3	e0	e3	e3
湿度敏感等级	-	3	3	-	3	3	3	3
端子面层	-	TIN SILVER COPPER	TIN LEAD	-	MATTE TIN	TIN LEAD	MATTE TIN	MATTE TIN

IS62WV25616DBLL-45BI

IS62WV25616DBLL-45BI概述

IS62WV25616DBLL-45BI规格参数

IS62WV25616DBLL-45BI相似产品对比

推荐资源