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IS45S32160F-6TLA1

产品描述Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86
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文件大小1MB,共61页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准
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IS45S32160F-6TLA1概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86

IS45S32160F-6TLA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明TSOP2, TSSOP86,.46,20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
长度22.22 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

IS45S32160F-6TLA1相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA, BGA90,9X15,32 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TFBGA, BGA90,9X15,32 TFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code compliant compliant compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 166 MHz 143 MHz 143 MHz 166 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G86 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PDSO-G86 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
长度 22.22 mm 13 mm 13 mm 22.22 mm 13 mm 13 mm
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 86 90 90 86 90 90
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TFBGA TFBGA TSOP2 TFBGA TFBGA
封装等效代码 TSSOP86,.46,20 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 TSSOP86,.46,20 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.245 mA 0.245 mA 0.23 mA 0.23 mA 0.245 mA 0.245 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL BALL GULL WING BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM
宽度 10.16 mm 8 mm 8 mm 10.16 mm 8 mm 8 mm
筛选级别 AEC-Q100 AEC-Q100 AEC-Q100 AEC-Q100 - -
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