IRFR3806TRLPBF,IRFR3806TRLPBF pdf中文资料,IRFR3806TRLPBF引脚图,IRFR3806TRLPBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRFR3806TRLPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小507KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IRFR3806TRLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

IRFR3806TRLPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	73 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	43 A
最大漏极电流 (ID)	43 A
最大漏源导通电阻	0.0158 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	71 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	170 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRFR3806TRLPBF相似产品对比

	IRFR3806TRLPBF	IRFR3806	IRFU3806	IRFR3806TRPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3			漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A 栅源极阈值电压：4V @ 50uA 漏源导通电阻：15.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W 类型：N沟道 N沟道 60V 43A

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