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1F18

产品描述0.5A,1800V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1800V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A
产品类别分立半导体   
文件大小293KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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1F18概述

0.5A,1800V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1800V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A

1F18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码R-1
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1800 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.3 µs
反向测试电压1800 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
类别
VRRM (V) max1800
IF (A) max0.5
VF (V) max1.8
Condition1_IF (A)0.5
IFSM (A) max25
IR (uA) max5
Condition2_VR (V)1800
trr (ns) max300
AEC QualifiedNO
最高工作温度125
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesR-1

1F18相似产品对比

1F18 1F10 1F12 1F14 1F15 1F16 1F20
描述 0.5A,1800V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1800V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1200V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1200V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1400V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1400V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1500V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1500V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,1600V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1600V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A 0.5A,2000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 2000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
零件包装代码 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A 25 A
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1800 V 1000 V 1200 V 1400 V 1500 V 1600 V 2000 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs 0.3 µs
反向测试电压 1800 V 1000 V 2000 V 1400 V 1500 V 1600 V 2000 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
VRRM (V) max 1800 1000 1200 1400 1500 1600 2000
IF (A) max 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
VF (V) max 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8
Condition1_IF (A) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
IFSM (A) max 25 25 25 25 25 25 25
IR (uA) max 5 5 5 5 5 5 5
Condition2_VR (V) 1800 1000 1200 1400 1500 1600 2000
trr (ns) max 300 300 300 300 300 300 300
AEC Qualified NO NO NO NO NO NO NO
是否无铅
符合Reach YES YES YES YES YES YES YES
符合RoHS YES YES YES YES YES YES YES
Package Outlines R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1 R-1
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
最高工作温度 125 125 125 125 125 125 125
最低工作温度 -55 -55 -55 -55 -55 -55 -55

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