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1F10: 产品描述0.5A,1000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A; 产品类别分立半导体; 文件大小293KB，共2页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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1F10概述

0.5A,1000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A

1F10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	R-1
Reach Compliance Code	unknown
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.8 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	25 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.3 µs
反向测试电压	1000 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
类别
VRRM (V) max	1000
IF (A) max	0.5
VF (V) max	1.8
Condition1_IF (A)	0.5
IFSM (A) max	25
IR (uA) max	5
Condition2_VR (V)	1000
trr (ns) max	300
AEC Qualified	NO
最高工作温度	125
最低工作温度	-55
是否无铅	否
符合Reach	YES
符合RoHS	YES
Package Outlines	R-1

1F10相似产品对比

	1F10	1F12	1F14	1F15	1F16	1F18	1F20
描述	0.5A,1000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,1200V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1200V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,1400V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1400V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,1500V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1500V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,1600V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1600V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,1800V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 1800V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A	0.5A,2000V,Fast Recovery Rectifiers, Diodes, Single, 2000V, 0.5A, 1.8V, 0.5A, 25A
厂商名称	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A	25 A
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2
最大输出电流	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V	1200 V	1400 V	1500 V	1600 V	1800 V	2000 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs	0.3 µs
反向测试电压	1000 V	2000 V	1400 V	1500 V	1600 V	1800 V	2000 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
VRRM (V) max	1000	1200	1400	1500	1600	1800	2000
IF (A) max	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
VF (V) max	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8	1.8
Condition1_IF (A)	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5
IFSM (A) max	25	25	25	25	25	25	25
IR (uA) max	5	5	5	5	5	5	5
Condition2_VR (V)	1000	1200	1400	1500	1600	1800	2000
trr (ns) max	300	300	300	300	300	300	300
AEC Qualified	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
是否无铅	否	否	否	否	否	否	否
符合Reach	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
符合RoHS	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
Package Outlines	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1	R-1
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
最高工作温度	125	125	125	125	125	125	125
最低工作温度	-55	-55	-55	-55	-55	-55	-55

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