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1N3019B

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小21KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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1N3019B概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DIE-1

1N3019B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codeunknown
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
膝阻抗最大值700 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流28 mA
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