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1N6012B

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小129KB,共2页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N6012B概述

Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

1N6012B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗88 Ω
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
膝阻抗最大值700 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
最大反向电流0.1 µA
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
电压温度Coeff-Max31.02 mV/°C
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
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