UVPROM, 64KX16, 150ns, CMOS, CQCC44,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Waferscale Integration Inc |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 150 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CQCC-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | UVPROM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 64KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
WS27C210L-15LMB | WS27C210L-17CMB | WS27C210L-15DMB | WS27C210L-12CMB | WS27C210L-17DMB | WS27C210L-12DMB | WS27C210L-15CMB | |
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描述 | UVPROM, 64KX16, 150ns, CMOS, CQCC44, | UVPROM, 64KX16, 170ns, CMOS, CQCC44, | UVPROM, 64KX16, 150ns, CMOS, CDIP40, | UVPROM, 64KX16, 120ns, CMOS, CQCC44, | UVPROM, 64KX16, 170ns, CMOS, CDIP40, | UVPROM, 64KX16, 120ns, CMOS, CDIP40, | UVPROM, 64KX16, 150ns, CMOS, CQCC44, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc | Waferscale Integration Inc |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow |
最长访问时间 | 150 ns | 170 ns | 150 ns | 120 ns | 170 ns | 120 ns | 150 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CQCC-J44 | R-CQCC-N44 | R-GDIP-T40 | R-CQCC-N44 | R-GDIP-T40 | R-GDIP-T40 | R-CQCC-N44 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM | UVPROM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 44 | 44 | 40 | 44 | 40 | 40 | 44 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCJ | QCCN | DIP | QCCN | DIP | DIP | QCCN |
封装等效代码 | LDCC44,.7SQ | LCC44,.65SQ | DIP40,.6 | LCC44,.65SQ | DIP40,.6 | DIP40,.6 | LCC44,.65SQ |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | NO | YES | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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