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S72NS512RE0AHGGC3

产品描述Memory Circuit, Flash+SDRAM, 32MX16, CMOS, PBGA133,
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文件大小529KB,共12页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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S72NS512RE0AHGGC3概述

Memory Circuit, Flash+SDRAM, 32MX16, CMOS, PBGA133,

S72NS512RE0AHGGC3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Codecompliant
JESD-30 代码S-PBGA-B133
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SDRAM
端子数量133
字数33554432 words
字数代码32000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA133,14X14,20
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM

S72NS512RE0AHGGC3相似产品对比

S72NS512RE0AHGGC3 S72NS128RD0AHBGC3 S72NS512RE0AHGGC0 S72NS512RE0AHGLC0
描述 Memory Circuit, Flash+SDRAM, 32MX16, CMOS, PBGA133, Memory IC, Memory Circuit, Flash+SDRAM, 32MX16, CMOS, PBGA133, Memory Circuit, Flash+SDRAM, 32MX16, CMOS, PBGA133,
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
JESD-30 代码 S-PBGA-B133 - S-PBGA-B133 S-PBGA-B133
内存密度 536870912 bit - 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT - MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16 - 16 16
混合内存类型 FLASH+SDRAM - FLASH+SDRAM FLASH+SDRAM
端子数量 133 - 133 133
字数 33554432 words - 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 - 32000000 32000000
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C - -25 °C -25 °C
组织 32MX16 - 32MX16 32MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA - FBGA FBGA
封装等效代码 BGA133,14X14,20 - BGA133,14X14,20 BGA133,14X14,20
封装形状 SQUARE - SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH - GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 OTHER - OTHER OTHER
端子形式 BALL - BALL BALL
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM

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