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AT60142H-DS15-SCC

产品描述Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小299KB,共12页
制造商Atmel (Microchip)
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AT60142H-DS15-SCC概述

Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM

AT60142H-DS15-SCC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL36,.5
针数36
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDFP-F36
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DFP
封装等效代码FL36,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class S
座面最大高度3.05 mm
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量300k Rad(Si) V
宽度12.195 mm

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描述 Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
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