3300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
3300 mA, 20 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管, TO-236AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 20 V |
加工封装描述 | 铅 FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | DISCONTINUED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | 锡 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用小信号 |
最大漏电流 | 3.3 A |
最大漏极导通电阻 | 0.0500 ohm |
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