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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMP151P7EFR4C-S5
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HMP151P7EFR4C-S5

产品描述240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs
产品类别存储    存储   
文件大小392KB，共26页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMP151P7EFR4C-S5概述

240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs

HMP151P7EFR4C-S5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B208
长度133.35 mm
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织512MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度30 mm
自我刷新YES
最大待机电流1.01 A
最大压摆率5.6 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度4 mm

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240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs based on 1Gb version E
This Hynix Registered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 1Gb version E DDR2
SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 1Gb
version E based Registered DDR2 DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 5.25" width
form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.
FEATURES
•
JEDEC standard Double Data Rate2 Synchro-
nous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/-
0.1V Power Supply
All inputs and outputs are compatible with
SSTL_1.8 interface
8 Bank architecture
Posted CAS
Programmable CAS Latency 3, 4, 5, 6
OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
ODT (On-Die Termination)
•
•
•
•
•
•
•
•
Fully differential clock operations (CK & CK)
Programmable Burst Length 4 / 8 with both
sequential and interleave mode
Auto refresh and self refresh supported
8192 refresh cycles / 64ms
Serial presence detect with EEPROM
DDR2 SDRAM Package: 60 ball(x4/x8)
133.35 x 30.00 mm form factor
Halogen free & RoHS compliant
•
•
•
•
•
•
ORDERING INFORMATION
Part Name
HMP112P7EFR8C-C4/Y5/S6/S5
HMP125P7EFR4C-C4/Y5/S6/S5
HMP151P7EFR4C-C4/Y5/S6/S5
HMP31GP7EMR4C-C4/Y5
Density Organization
1GB
2GB
4GB
8GB
128Mx72
256Mx72
512Mx72
512Mx72
# of
DRAMs
9
18
36
72
# of
ranks
1
1
2
4
Materials
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Parity
Support
O
O
O
O
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.2 / Sep. 2008
1

HMP151P7EFR4C-S5相似产品对比

HMP151P7EFR4C-S5 HMP112P7EFR8C-C4 HMP125P7EFR4C-C4 HMP125P7EFR4C-Y5 HMP151P7EFR4C-S6
描述 240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs 240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs 240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs 240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs 240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code compliant compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.4 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz 266 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208 R-PBGA-B208
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 4294967296 bit 1073741824 bi 2147483648 bi 2147483648 bi 4294967296 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240
字数 536870912 words 134217728 words 268435456 words 268435456 words 536870912 words
字数代码 512000000 128000000 256000000 256000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 55 °C 55 °C 55 °C 55 °C 55 °C
组织 512MX8 128MX8 256MX8 256MX8 512MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm 30 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES
最大待机电流 1.01 A 0.74 A 0.83 A 0.83 A 1.01 A
最大压摆率 5.6 mA 2.225 mA 4.07 mA 4.16 mA 5.6 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20
宽度 4 mm 2.7 mm 4 mm 4 mm 4 mm

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